Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

BFL4037-1E

BFL4037-1E

Nur als Referenz

Teilenummer BFL4037-1E
PNEDA Teilenummer BFL4037-1E
Beschreibung MOSFET N-CH 500V 11A
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.226
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 24 - Jun 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFL4037-1E Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFL4037-1E
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
BFL4037-1E, BFL4037-1E Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 254,3 KB)
PDFBFL4037-1E Datenblatt Cover
BFL4037-1E Datenblatt Seite 2 BFL4037-1E Datenblatt Seite 3 BFL4037-1E Datenblatt Seite 4 BFL4037-1E Datenblatt Seite 5 BFL4037-1E Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • BFL4037-1E Datasheet
  • where to find BFL4037-1E
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor BFL4037-1E
  • BFL4037-1E PDF Datasheet
  • BFL4037-1E Stock

  • BFL4037-1E Pinout
  • Datasheet BFL4037-1E
  • BFL4037-1E Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • BFL4037-1E Price
  • BFL4037-1E Distributor

BFL4037-1E Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs430mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs48.6nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1200pF @ 30V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2W (Ta), 40W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220F-3FS
Paket / FallTO-220-3 Full Pack

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

AUIRF3315STRL

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

21A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

82mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

95nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 94W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

DMN3008SCP10-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

IRF3205PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

110A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 62A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

146nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3247pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

200W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

IXFN340N06

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

340A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

600nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

16800pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

700W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

FDJ127P

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.1A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

780pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.6W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SC75-6 FLMP

Paket / Fall

SC75-6 FLMP

Kürzlich verkauft

BFG591,115

BFG591,115

NXP

RF TRANS NPN 15V 7GHZ SOT223

AD9765ASTZ

AD9765ASTZ

Analog Devices

IC DAC 12BIT A-OUT 48LQFP

ERJ-M1WSJ15MU

ERJ-M1WSJ15MU

Panasonic Electronic Components

RES 0.015 OHM 5% 1W 2512

ADT7411ARQZ-REEL

ADT7411ARQZ-REEL

Analog Devices

SENSOR DIGITAL -40C-120C 16QSOP

ATMEGA16-16AC

ATMEGA16-16AC

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 16KB FLASH 44TQFP

2773021447

2773021447

Fair-Rite Products

FERRITE BEAD 2SMD 1LN

T520B227M006ATE070

T520B227M006ATE070

KEMET

CAP TANT POLY 220UF 6.3V 3528

PIC16F876-20/SO

PIC16F876-20/SO

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 14KB FLASH 28SOIC

PHV-5R4V155-R

PHV-5R4V155-R

Eaton - Electronics Division

CAP 1.5F -10% +30% 5.4V T/H

IRLML9301TRPBF

IRLML9301TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT-23-3

ADG1334BRSZ

ADG1334BRSZ

Analog Devices

IC SWITCH QUAD SPDT 20SSOP

MAX9100EUK+T

MAX9100EUK+T

Maxim Integrated

IC COMPARATOR R-R SOT23-5