BFP650E6327HTSA1
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| Teilenummer | BFP650E6327HTSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BFP650E6327HTSA1 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 4.5V 37GHZ SOT343-4 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.966 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 16 - Jun 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BFP650E6327HTSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFP650E6327HTSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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BFP650E6327HTSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 4.5V |
| Frequenz - Übergang | 37GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz |
| Gewinn | 10.5dB ~ 21.5dB |
| Leistung - max | 500mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 110 @ 80mA, 3V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 150mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-82A, SOT-343 |
| Lieferantengerätepaket | PG-SOT343-4 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 4.7V Frequenz - Übergang 42GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz Gewinn 24.5dB Leistung - max 160mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 160 @ 25mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket PG-TSLP-3 |
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