BFR193E6327HTSA1
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| Teilenummer | BFR193E6327HTSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BFR193E6327HTSA1 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 321.858 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BFR193E6327HTSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFR193E6327HTSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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BFR193E6327HTSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 8GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Gewinn | 10dB ~ 15dB |
| Leistung - max | 580mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 70 @ 30mA, 8V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 |
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Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 4.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.2dB @ 1GHz Gewinn 9dB Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 125 @ 7mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket SOT-323 |
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