BFR720L3RHE6327XTSA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | BFR720L3RHE6327XTSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BFR720L3RHE6327XTSA1 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ TSLP-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.230 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 22 - Mai 27 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BFR720L3RHE6327XTSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFR720L3RHE6327XTSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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BFR720L3RHE6327XTSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 4.7V |
| Frequenz - Übergang | 45GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz |
| Gewinn | 24dB |
| Leistung - max | 80mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 160 @ 13mA, 3V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 20mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-101, SOT-883 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TSLP-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 9V Frequenz - Übergang 14GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1dB @ 1.8GHz Gewinn 15.5dB Leistung - max 210mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 90 @ 15mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-723 Lieferantengerätepaket TSFP-3-1 |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.2dB @ 1GHz Gewinn 13dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 20mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 65mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 35V Frequenz - Übergang 30MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 12dB Leistung - max 320W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 15 @ 7A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M174 Lieferantengerätepaket M174 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 2GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
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