BFS481H6327XTSA1
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| Teilenummer | BFS481H6327XTSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BFS481H6327XTSA1 |
| Beschreibung | RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 47.904 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BFS481H6327XTSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFS481H6327XTSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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BFS481H6327XTSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Transistortyp | 2 NPN (Dual) |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 8GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Gewinn | 20dB |
| Leistung - max | 175mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 8V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 20mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | P-SOT363-6 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 1.7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.8dB @ 150MHz Gewinn 16dB Leistung - max 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 3mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-81 Lieferantengerätepaket 3-SSFP |
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