BFU530WX
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| Teilenummer | BFU530WX |
| PNEDA Teilenummer | BFU530WX |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3 |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.992 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BFU530WX Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFU530WX |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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BFU530WX Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 11GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.6dB @ 900MHz |
| Gewinn | 18.5dB |
| Leistung - max | 450mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 8V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 40mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-70, SOT-323 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-323-3 |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101 Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 11GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.6dB @ 900MHz Gewinn 18dB Leistung - max 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 15mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket TO-236AB (SOT23) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.5dB ~ 2.5dB @ 1GHz Gewinn - Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 5mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket SC-75 |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 55V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 15dB ~ 17dB Leistung - max 330W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 23 @ 10A, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall M177 Lieferantengerätepaket M177 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 1.3GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 5dB @ 500MHz Gewinn 53dB Leistung - max 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 2mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall E-Line-3, Formed Leads Lieferantengerätepaket E-Line (TO-92 compatible) |
