BFU550R
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| Teilenummer | BFU550R |
| PNEDA Teilenummer | BFU550R |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 293.670 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BFU550R Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFU550R |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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BFU550R Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 11GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.7dB @ 900MHz |
| Gewinn | 21dB |
| Leistung - max | 450mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 60 @ 15mA, 8V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-253-4, TO-253AA |
| Lieferantengerätepaket | SOT-143B |
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Hersteller Broadcom Limited Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 2dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz Gewinn 9.5dB ~ 13.5dB Leistung - max 500mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 35mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SMD (85 Plastic) Lieferantengerätepaket 85 Plastic |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 1.4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz Gewinn 20dB ~ 23dB Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236) |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 55V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 15dB ~ 17dB Leistung - max 330W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 23 @ 10A, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall M177 Lieferantengerätepaket M177 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 800MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 6dB @ 200MHz Gewinn 24dB Leistung - max 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
