BFU730F,115
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| Teilenummer | BFU730F,115 |
| PNEDA Teilenummer | BFU730F-115 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4DFP |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 56.682 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BFU730F Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFU730F,115 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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BFU730F Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 2.8V |
| Frequenz - Übergang | 55GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz |
| Gewinn | - |
| Leistung - max | 197mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 205 @ 2mA, 2V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 30mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-343F |
| Lieferantengerätepaket | 4-DFP |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz Gewinn - Leistung - max 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 15mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket SOT-323-3 |
