BLF4G20-110B,112
Nur als Referenz
| Teilenummer | BLF4G20-110B,112 |
| PNEDA Teilenummer | BLF4G20-110B-112 |
| Beschreibung | FET RF 65V 1.99GHZ SOT502A |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.784 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 14 - Jun 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BLF4G20-110B Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BLF4G20-110B,112 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - RF |
| Datenblatt |
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BLF4G20-110B Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | LDMOS |
| Frequenz | 1.93GHz ~ 1.99GHz |
| Gewinn | 13.5dB |
| Spannungstest | 28V |
| Nennstrom (Ampere) | 12A |
| Rauschzahl | - |
| Stromtest | 700mA |
| Leistung - Leistung | 100W |
| Spannung - Nennspannung | 65V |
| Paket / Fall | SOT-502A |
| Lieferantengerätepaket | LDMOST |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp N-Channel JFET Frequenz - Gewinn - Spannungstest - Nennstrom (Ampere) 25mA Rauschzahl - Stromtest - Leistung - Leistung - Spannung - Nennspannung 30V Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp pHEMT FET Frequenz 12GHz Gewinn 13.7dB Spannungstest 2V Nennstrom (Ampere) 15mA Rauschzahl 0.5dB Stromtest 10mA Leistung - Leistung 125mW Spannung - Nennspannung 4V Paket / Fall 4-Micro-X Lieferantengerätepaket 4-Micro-X |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS (Dual) Frequenz 1.81GHz Gewinn 17.9dB Spannungstest 30V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 1.6A Leistung - Leistung 74W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall SOT-1110A Lieferantengerätepaket NI1230-8 |
