BLF4G20LS-110B,112
Nur als Referenz
| Teilenummer | BLF4G20LS-110B,112 |
| PNEDA Teilenummer | BLF4G20LS-110B-112 |
| Beschreibung | FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.430 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 20 - Mai 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BLF4G20LS-110B Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BLF4G20LS-110B,112 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - RF |
| Datenblatt |
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BLF4G20LS-110B Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | LDMOS |
| Frequenz | 1.93GHz ~ 1.99GHz |
| Gewinn | 13.4dB |
| Spannungstest | 28V |
| Nennstrom (Ampere) | 12A |
| Rauschzahl | - |
| Stromtest | 650mA |
| Leistung - Leistung | 100W |
| Spannung - Nennspannung | 65V |
| Paket / Fall | SOT-502B |
| Lieferantengerätepaket | SOT502B |
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Hersteller STMicroelectronics Serie - Transistortyp N-Channel Frequenz 123MHz Gewinn 24.6dB Spannungstest 100V Nennstrom (Ampere) 20A Rauschzahl - Stromtest 250mA Leistung - Leistung 580W Spannung - Nennspannung 250V Paket / Fall STAC244F Lieferantengerätepaket STAC244F |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 1.99GHz Gewinn 15.9dB Spannungstest 30V Nennstrom (Ampere) 10µA Rauschzahl - Stromtest 1.8A Leistung - Leistung 50W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall 2-Flatpack, Fin Leads Lieferantengerätepaket H-36260-2 |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 2.11GHz ~ 2.17GHz Gewinn 17.5dB Spannungstest 28V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 1.35A Leistung - Leistung 44W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall SOT-957A Lieferantengerätepaket NI-780H-2L |
