BLF6G10-160RN,112
Nur als Referenz
| Teilenummer | BLF6G10-160RN,112 |
| PNEDA Teilenummer | BLF6G10-160RN-112 |
| Beschreibung | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A |
| Hersteller | Ampleon |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.988 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BLF6G10-160RN Ressourcen
| Marke | Ampleon |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BLF6G10-160RN,112 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - RF |
| Datenblatt |
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BLF6G10-160RN Technische Daten
| Hersteller | Ampleon USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | LDMOS |
| Frequenz | 922.5MHz ~ 957.5MHz |
| Gewinn | 22.5dB |
| Spannungstest | 32V |
| Nennstrom (Ampere) | 39A |
| Rauschzahl | - |
| Stromtest | 1.2A |
| Leistung - Leistung | 32W |
| Spannung - Nennspannung | 65V |
| Paket / Fall | SOT-502A |
| Lieferantengerätepaket | LDMOST |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp N-Channel Dual Gate Frequenz 400MHz Gewinn 30dB Spannungstest 5V Nennstrom (Ampere) 30mA Rauschzahl 1dB Stromtest 19mA Leistung - Leistung - Spannung - Nennspannung 6V Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket 6-TSSOP |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 500MHz Gewinn 11.5dB Spannungstest 7.5V Nennstrom (Ampere) 5A Rauschzahl - Stromtest 150mA Leistung - Leistung 8W Spannung - Nennspannung 25V Paket / Fall PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Lieferantengerätepaket 10-PowerSO |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 1.88GHz ~ 2.025GHz Gewinn 15.9dB Spannungstest 28V Nennstrom (Ampere) 10µA Rauschzahl - Stromtest 700mA Leistung - Leistung 229W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall OM-1230-4L2L Lieferantengerätepaket OM-1230-4L2L |
Hersteller Ampleon USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 1.88GHz ~ 1.93GHz Gewinn 16.2dB Spannungstest 32V Nennstrom (Ampere) 2.8µA Rauschzahl - Stromtest 800mA Leistung - Leistung 570W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall SOT-1258-7 Lieferantengerätepaket SOT-1258-7 |
