BLF6G10LS-160RN,11
Nur als Referenz
| Teilenummer | BLF6G10LS-160RN,11 |
| PNEDA Teilenummer | BLF6G10LS-160RN-11_E3 |
| Beschreibung | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B |
| Hersteller | Ampleon |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.596 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 25 - Mai 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BLF6G10LS-160RN Ressourcen
| Marke | Ampleon |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BLF6G10LS-160RN,11 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - RF |
| Datenblatt |
BLF6G10LS-160RN, BLF6G10LS-160RN Datenblatt
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BLF6G10LS-160RN Technische Daten
| Hersteller | Ampleon USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | LDMOS |
| Frequenz | 922.5MHz ~ 957.5MHz |
| Gewinn | 22.5dB |
| Spannungstest | 32V |
| Nennstrom (Ampere) | 39A |
| Rauschzahl | - |
| Stromtest | 1.2A |
| Leistung - Leistung | 32W |
| Spannung - Nennspannung | 65V |
| Paket / Fall | SOT-502B |
| Lieferantengerätepaket | SOT502B |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 2.7GHz Gewinn 16.5dB Spannungstest 28V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 1.5A Leistung - Leistung 23W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall NI-780S Lieferantengerätepaket NI-780S |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 1.88GHz Gewinn 19.9dB Spannungstest 28V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 1A Leistung - Leistung 32W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall NI-780S-2L2LA Lieferantengerätepaket NI-780S-2L2LA |
Hersteller Ampleon USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS (Dual), Common Source Frequenz 2.5GHz ~ 2.69GHz Gewinn 14.5dB Spannungstest 28V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 320mA Leistung - Leistung 28W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall SOT1275-1 Lieferantengerätepaket DFM6 |
