BLF6G15L-250PBRN,1
Nur als Referenz
| Teilenummer | BLF6G15L-250PBRN,1 |
| PNEDA Teilenummer | BLF6G15L-250PBRN-1_E3 |
| Beschreibung | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1110A |
| Hersteller | Ampleon |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.488 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BLF6G15L-250PBRN Ressourcen
| Marke | Ampleon |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BLF6G15L-250PBRN,1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - RF |
| Datenblatt |
BLF6G15L-250PBRN, BLF6G15L-250PBRN Datenblatt
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BLF6G15L-250PBRN Technische Daten
| Hersteller | Ampleon USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | LDMOS |
| Frequenz | 1.47GHz ~ 1.51GHz |
| Gewinn | 18.5dB |
| Spannungstest | 28V |
| Nennstrom (Ampere) | 64A |
| Rauschzahl | - |
| Stromtest | 1.41A |
| Leistung - Leistung | 60W |
| Spannung - Nennspannung | 65V |
| Paket / Fall | SOT-1110A |
| Lieferantengerätepaket | LDMOST |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 1.99GHz Gewinn 15dB Spannungstest 28V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 1A Leistung - Leistung 19W Spannung - Nennspannung 68V Paket / Fall NI-780S Lieferantengerätepaket NI-780S |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp LDMOS (Dual) Frequenz 2.2GHz Gewinn 21dB Spannungstest 28V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 170mA Leistung - Leistung 5W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall H-37248-4 Lieferantengerätepaket H-37248-4 |
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