BLF7G22LS-160,118
Nur als Referenz
| Teilenummer | BLF7G22LS-160,118 |
| PNEDA Teilenummer | BLF7G22LS-160-118 |
| Beschreibung | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B |
| Hersteller | Ampleon |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.308 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 31 - Jun 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BLF7G22LS-160 Ressourcen
| Marke | Ampleon |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BLF7G22LS-160,118 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - RF |
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BLF7G22LS-160 Technische Daten
| Hersteller | Ampleon USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | LDMOS |
| Frequenz | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| Gewinn | 18dB |
| Spannungstest | 28V |
| Nennstrom (Ampere) | 36A |
| Rauschzahl | - |
| Stromtest | 1.3A |
| Leistung - Leistung | 43W |
| Spannung - Nennspannung | 65V |
| Paket / Fall | SOT-502B |
| Lieferantengerätepaket | SOT502B |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 960MHz Gewinn 18.5dB Spannungstest 28V Nennstrom (Ampere) 10µA Rauschzahl - Stromtest 750mA Leistung - Leistung 110W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall 2-Flatpack, Fin Leads Lieferantengerätepaket PG-63248-2 |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Transistortyp N-Channel Frequenz 30MHz Gewinn 23.5dB Spannungstest 50V Nennstrom (Ampere) 40A Rauschzahl - Stromtest 250mA Leistung - Leistung 300W Spannung - Nennspannung 125V Paket / Fall M177 Lieferantengerätepaket M177 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp N-Channel JFET Frequenz - Gewinn - Spannungstest - Nennstrom (Ampere) 15mA Rauschzahl - Stromtest - Leistung - Leistung - Spannung - Nennspannung 30V Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 960MHz Gewinn 19dB Spannungstest 28V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 2.8A Leistung - Leistung 112W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall H-36260-2 Lieferantengerätepaket H-36260-2 |
