BLS3135-10,114
Nur als Referenz
| Teilenummer | BLS3135-10,114 |
| PNEDA Teilenummer | BLS3135-10-114 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 75V 3.5GHZ CDFM2 |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.406 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 8 - Jul 13 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BLS3135-10 Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BLS3135-10,114 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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BLS3135-10 Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 75V |
| Frequenz - Übergang | 3.5GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 9dB |
| Leistung - max | 34W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 40 @ 250mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 1.5A |
| Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-445C |
| Lieferantengerätepaket | CDFM2 |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz Gewinn - Leistung - max 500mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 40mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket CMPAK-4 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 11GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.3dB @ 1.8GHz Gewinn 15.5dB Leistung - max 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 15mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount, Gull Wing Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket SOT-143B |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 6.7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1GHz Gewinn 11dB Leistung - max 800mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 90 @ 30mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket 6-CPH |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 16V Frequenz - Übergang 870MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 8dB ~ 9.5dB Leistung - max 2.2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 75V Frequenz - Übergang 1.2GHz ~ 1.4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 8.7dB ~ 9dB Leistung - max 600W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55ST Lieferantengerätepaket 55ST |
