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BR24L01AF-WE2

BR24L01AF-WE2

Nur als Referenz

Teilenummer BR24L01AF-WE2
PNEDA Teilenummer BR24L01AF-WE2
Beschreibung IC EEPROM 1K I2C 400KHZ 8SOP
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 21.080
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 7 - Jul 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BR24L01AF-WE2 Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBR24L01AF-WE2
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
BR24L01AF-WE2, BR24L01AF-WE2 Datenblatt (Total Pages: 39, Größe: 699,09 KB)
PDFBR24L64-W Datenblatt Cover
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BR24L01AF-WE2 Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße1Kb (128 x 8)
SpeicherschnittstelleI²C
Taktfrequenz400kHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite5ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.8V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOP

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Serie

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Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

533MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

8Gb (256M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

1.25GHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.3V ~ 1.545V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

-

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-

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

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Speichergröße

64Mb (4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

2.2V ~ 3.7V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-LFBGA

Lieferantengerätepaket

48-FBGA (8x9.5)

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

16Mb (512K x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 2.2V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, DDR II

Speichergröße

18Mb (1M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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