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BR25H040F-2LBH2

BR25H040F-2LBH2

Nur als Referenz

Teilenummer BR25H040F-2LBH2
PNEDA Teilenummer BR25H040F-2LBH2
Beschreibung IC EEPROM 4K SPI 10MHZ 8SOP
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 6.732
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 8 - Mai 13 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BR25H040F-2LBH2 Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBR25H040F-2LBH2
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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BR25H040F-2LBH2 Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße4Kb (512 x 8)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz10MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite4ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOP

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, DDR II

Speichergröße

36Mb (1M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (128 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

550ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

8Mb (1M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

150ns

Zugriffszeit

150ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

16Mb (2M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

104MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs, 2.4ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 2.1V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

21-XFBGA, WLSCP

Lieferantengerätepaket

21-WLCSP

MTFC8GLVEA-1F WT TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

e•MMC™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

64Gb (8G x 8)

Speicherschnittstelle

MMC

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

153-WFBGA

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153-WFBGA (11.5x13)

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