BS170PSTOA
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| Teilenummer | BS170PSTOA |
| PNEDA Teilenummer | BS170PSTOA |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.706 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BS170PSTOA Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BS170PSTOA |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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BS170PSTOA Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 270mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 200mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 625mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | E-Line (TO-92 compatible) |
| Paket / Fall | E-Line-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 75W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220-3 Paket / Fall TO-220-3 |
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