BSC0921NDIATMA1
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| Teilenummer | BSC0921NDIATMA1 |
| PNEDA Teilenummer | BSC0921NDIATMA1 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 52.740 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSC0921NDIATMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSC0921NDIATMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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BSC0921NDIATMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET-Funktion | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 17A, 31A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.9nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1025pF @ 15V |
| Leistung - max | 1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Lieferantengerätepaket | PG-TISON-8 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ N and P-Channel Complementary FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.1A, 700mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 460mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 65.9pF @ 25V Leistung - max 390mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket X2-DFN1310-6 (Type B) |
Hersteller Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ N and P-Channel Complementary FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.2A (Ta), 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.6nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 15V, 1188pF @ 15V Leistung - max 1.2W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8 |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2940pF @ 15V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1420pF @ 25V Leistung - max 21W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-4 |
Hersteller ON Semiconductor Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-XFBGA Lieferantengerätepaket - |
