BSC109N10NS3GATMA1
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| Teilenummer | BSC109N10NS3GATMA1 |
| PNEDA Teilenummer | BSC109N10NS3GATMA1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 63A 8TDSON |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.490 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 30 - Jun 4 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BSC109N10NS3GATMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSC109N10NS3GATMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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BSC109N10NS3GATMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 63A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.9mOhm @ 46A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 45µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 50V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 78W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TDSON-8-1 |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2847pF @ 4V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 900mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket V-DFN3020-8 Paket / Fall 8-VDFN |
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