BSL308PEH6327XTSA1
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| Teilenummer | BSL308PEH6327XTSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BSL308PEH6327XTSA1 |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 24.642 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSL308PEH6327XTSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSL308PEH6327XTSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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BSL308PEH6327XTSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 11µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 15V |
| Leistung - max | 500mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TSOP-6-6 |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
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