BSM100GB120DN2HOSA1
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| Teilenummer | BSM100GB120DN2HOSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BSM100GB120DN2HOSA1 |
| Beschreibung | IGBT 2 MED POWER 62MM-1 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.670 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 25 - Mai 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BSM100GB120DN2HOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSM100GB120DN2HOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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BSM100GB120DN2HOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | Half Bridge |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 150A |
| Leistung - max | 800W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 100A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 2mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 6.5nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 260A Leistung - max 1100W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 2mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 18nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall POWIR® 62 Module Lieferantengerätepaket POWIR® 62 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 210A Leistung - max 1041W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 9.3nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP3 Lieferantengerätepaket SP3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Three Phase Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Leistung - max 312W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.45nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6-P |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Single Switch Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2735A Leistung - max 11000W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 1800A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 110nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 460A Leistung - max 1400W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 400A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 750µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 18nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall D-3 Module Lieferantengerätepaket D3 |
