BSM180C12P2E202
Nur als Referenz
| Teilenummer | BSM180C12P2E202 |
| PNEDA Teilenummer | BSM180C12P2E202 |
| Beschreibung | BSM180C12P2E202 IS A SIC (SILICO |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.978 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 20 - Mai 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BSM180C12P2E202 Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSM180C12P2E202 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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BSM180C12P2E202 Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 204A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 35.2mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 20000pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1360W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Lieferantengerätepaket | Module |
| Paket / Fall | Module |
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