BSM180D12P3C007
Nur als Referenz
| Teilenummer | BSM180D12P3C007 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | BSM180D12P3C007 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | SIC POWER MODULE | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Rohm Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 2.471 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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BSM180D12P3C007 Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSM180D12P3C007 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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BSM180D12P3C007 Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 180A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 50mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 10V |
| Leistung - max | 880W |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 562pF @ 10V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
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