BSM50GB170DN2HOSA1
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| Teilenummer | BSM50GB170DN2HOSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BSM50GB170DN2HOSA1 |
| Beschreibung | IGBT 1700V 72A 500W MODULE |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.542 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 8 - Jun 13 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BSM50GB170DN2HOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSM50GB170DN2HOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
BSM50GB170DN2HOSA1, BSM50GB170DN2HOSA1 Datenblatt
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BSM50GB170DN2HOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | Half Bridge |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1700V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 72A |
| Leistung - max | 500W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 50A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 8nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Full Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 270A Leistung - max 680W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 200A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 75µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 12.2nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket SP6 |
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