Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

BSO330N02KGFUMA1

BSO330N02KGFUMA1

Nur als Referenz

Teilenummer BSO330N02KGFUMA1
PNEDA Teilenummer BSO330N02KGFUMA1
Beschreibung MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.074
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 15 - Jul 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BSO330N02KGFUMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBSO330N02KGFUMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
BSO330N02KGFUMA1, BSO330N02KGFUMA1 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 531,63 KB)
PDFBSO330N02KGFUMA1 Datenblatt Cover
BSO330N02KGFUMA1 Datenblatt Seite 2 BSO330N02KGFUMA1 Datenblatt Seite 3 BSO330N02KGFUMA1 Datenblatt Seite 4 BSO330N02KGFUMA1 Datenblatt Seite 5 BSO330N02KGFUMA1 Datenblatt Seite 6 BSO330N02KGFUMA1 Datenblatt Seite 7 BSO330N02KGFUMA1 Datenblatt Seite 8 BSO330N02KGFUMA1 Datenblatt Seite 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • BSO330N02KGFUMA1 Datasheet
  • where to find BSO330N02KGFUMA1
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies BSO330N02KGFUMA1
  • BSO330N02KGFUMA1 PDF Datasheet
  • BSO330N02KGFUMA1 Stock

  • BSO330N02KGFUMA1 Pinout
  • Datasheet BSO330N02KGFUMA1
  • BSO330N02KGFUMA1 Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • BSO330N02KGFUMA1 Price
  • BSO330N02KGFUMA1 Distributor

BSO330N02KGFUMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieOptiMOS™
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds730pF @ 10V
Leistung - max1.4W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
LieferantengerätepaketPG-DSO-8

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRF7379TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.8A, 4.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 25V

Leistung - max

2.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

APTMC60TLM14CAG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

4 N-Channel (Three Level Inverter)

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

219A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 150A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 30mA (Typ)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

483nC @ 20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8400pF @ 1000V

Leistung - max

925W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

DMC3061SVT-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

DMP2004DWK-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

430mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

900mOhm @ 430mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

175pF @ 16V

Leistung - max

250mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

EPC2110

EPC

Hersteller

EPC

Serie

eGaN®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Source

FET-Funktion

GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss)

120V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 700µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.8nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

80pF @ 60V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

-

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

Kürzlich verkauft

MC33269DTRK-3.3G

MC33269DTRK-3.3G

ON Semiconductor

IC REG LINEAR 3.3V 800MA DPAK

MAX15301AA02+CJK

MAX15301AA02+CJK

Maxim Integrated

IC REG CTRLR BUCK PMBUS 32TQFN

ABM8G-25.000MHZ-18-D2Y-T

ABM8G-25.000MHZ-18-D2Y-T

Abracon

CRYSTAL 25.0000MHZ 18PF SMD

HX5120NL

HX5120NL

Pulse Electronics Network

PULSE XFMR 1 CT:1CT TX/RX 350UH

TNY290PG

TNY290PG

Power Integrations

IC OFF-LINE SWITCH PWM 8DIP

SL16010DCT

SL16010DCT

Silicon Labs

IC CLOCK AMD GRAPHICS 10TDFN

STPS30L60CT

STPS30L60CT

STMicroelectronics

DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB

V23050-A1110-A533

V23050-A1110-A533

TE Connectivity Potter & Brumfield Relays

RELAY SAFETY 6PST 8A 110V

P6KE16A

P6KE16A

Taiwan Semiconductor Corporation

TVS DIODE 13.6V 22.5V DO15

AOZ1281DI

AOZ1281DI

Alpha & Omega Semiconductor

IC REG BUCK ADJUSTABLE 1.8A 8DFN

RL2010FK-070R43L

RL2010FK-070R43L

Yageo

RES 0.43 OHM 1% 3/4W 2010

MAX3208EAUB+T

MAX3208EAUB+T

Maxim Integrated

TVS DIODE 10UMAX