BSO615CGHUMA1
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| Teilenummer | BSO615CGHUMA1 |
| PNEDA Teilenummer | BSO615CGHUMA1 |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 50.454 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSO615CGHUMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSO615CGHUMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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BSO615CGHUMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | SIPMOS® |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3.1A, 2A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 3.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22.5nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 25V |
| Leistung - max | 2W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | PG-DSO-8 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 880mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 880mA, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id 750mV @ 1.6µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.26nC @ 2.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 78pF @ 10V Leistung - max 500mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket PG-SOT363-6 |
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Hersteller Advanced Linear Devices Inc. Serie EPAD®, Zero Threshold™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 80mA Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 20mV @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 500mW Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 8-PDIP |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 10A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2248pF @ 10V Leistung - max 2.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-VFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket V-DFN2050-4 |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 4.8A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2010pF @ 10V Leistung - max 450mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP (5.5x6.0) |
