BSP88E6327
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| Teilenummer | BSP88E6327 |
| PNEDA Teilenummer | BSP88E6327 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.488 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 25 - Mai 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BSP88E6327 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSP88E6327 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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BSP88E6327 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | SIPMOS® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 240V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 350mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 350mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 108µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 95pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.7W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-SOT223-4 |
| Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
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