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BSS8402DWQ-7

BSS8402DWQ-7

Nur als Referenz

Teilenummer BSS8402DWQ-7
PNEDA Teilenummer BSS8402DWQ-7
Beschreibung MOSFET N/P-CH 60V/50V
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 8.244
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BSS8402DWQ-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBSS8402DWQ-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
BSS8402DWQ-7, BSS8402DWQ-7 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 451,35 KB)
PDFBSS8402DW-7 Datenblatt Cover
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BSS8402DWQ-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V, 50V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.115mA, 130mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs13.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 25V
Leistung - max200mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketSOT-363

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-

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

600mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

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Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A, 2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 20V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

48mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1525pF @ 30V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

Hersteller

EPC

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

230pF @ 15V, 590pF @ 15V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

APTC60HM24T3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

4 N-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Super Junction

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

95A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 47.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14400pF @ 25V

Leistung - max

462W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

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