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BSS84AKVL

BSS84AKVL

Nur als Referenz

Teilenummer BSS84AKVL
PNEDA Teilenummer BSS84AKVL
Beschreibung MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 2.502
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 29 - Jul 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BSS84AKVL Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBSS84AKVL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
BSS84AKVL, BSS84AKVL Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 1.426,98 KB)
PDFBSS84AKV Datenblatt Cover
BSS84AKV Datenblatt Seite 2 BSS84AKV Datenblatt Seite 3 BSS84AKV Datenblatt Seite 4 BSS84AKV Datenblatt Seite 5 BSS84AKV Datenblatt Seite 6 BSS84AKV Datenblatt Seite 7 BSS84AKV Datenblatt Seite 8 BSS84AKV Datenblatt Seite 9 BSS84AKV Datenblatt Seite 10 BSS84AKV Datenblatt Seite 11

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BSS84AKVL Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)50V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.180mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.35nC @ 5V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds36pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)350mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketTO-236AB
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Hersteller

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Serie

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FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

480V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

32A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

360W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXFH)

Paket / Fall

TO-247-3

TN2435N8-G

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

350V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

365mA (Tj)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

3V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 750mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.6W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-243AA (SOT-89)

Paket / Fall

TO-243AA

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5mOhm @ 14.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1065pF @ 13V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.7W (Ta), 31W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

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FET-Typ

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Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.8Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

20W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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-

Verlustleistung (max.)

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