BSZ0910NDXTMA1
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| Teilenummer | BSZ0910NDXTMA1 |
| PNEDA Teilenummer | BSZ0910NDXTMA1 |
| Beschreibung | DIFFERENTIATED MOSFETS |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.268 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSZ0910NDXTMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSZ0910NDXTMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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BSZ0910NDXTMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 9.5A (Ta), 25A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 15V |
| Leistung - max | 1.9W (Ta), 31W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
| Lieferantengerätepaket | PG-WISON-8 |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 6.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
