Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

BSZ520N15NS3GATMA1

BSZ520N15NS3GATMA1

Nur als Referenz

Teilenummer BSZ520N15NS3GATMA1
PNEDA Teilenummer BSZ520N15NS3GATMA1
Beschreibung MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 334.638
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 16 - Jul 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BSZ520N15NS3GATMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBSZ520N15NS3GATMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • BSZ520N15NS3GATMA1 Datasheet
  • where to find BSZ520N15NS3GATMA1
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies BSZ520N15NS3GATMA1
  • BSZ520N15NS3GATMA1 PDF Datasheet
  • BSZ520N15NS3GATMA1 Stock

  • BSZ520N15NS3GATMA1 Pinout
  • Datasheet BSZ520N15NS3GATMA1
  • BSZ520N15NS3GATMA1 Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • BSZ520N15NS3GATMA1 Price
  • BSZ520N15NS3GATMA1 Distributor

BSZ520N15NS3GATMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieOptiMOS™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)150V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.21A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs52mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 35µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds890pF @ 75V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)57W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketPG-TSDSON-8
Paket / Fall8-PowerTDFN

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IPI80N04S4L04AKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.3mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 35µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (Max)

+20V, -16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4690pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

71W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO262-3

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

NTMFS4C06NBT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Ta), 69A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1683pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.55W (Ta), 30.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paket / Fall

8-PowerTDFN, 5 Leads

SI7117DN-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.17A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

510pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.2W (Ta), 12.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 1212-8

Paket / Fall

PowerPAK® 1212-8

R8005ANJFRGTL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.1Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

120W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LPTS

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPD127N06LGBTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.7mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 80µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

69nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2300pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

136W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Kürzlich verkauft

BZV55C5V1

BZV55C5V1

Microsemi

DIODE ZENER 5.1V DO213AA

LTM8045IY#PBF

LTM8045IY#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER +/-2.5 +/-15V

1N4007G

1N4007G

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

LTM4644IY#PBF

LTM4644IY#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 4X0.6-5.5V

HSMG-C680

HSMG-C680

Broadcom

LED GREEN CLEAR CHIP SMD R/A

MC34844AEPR2

MC34844AEPR2

NXP

IC LED DRVR RGLTR DIM 80MA 32QFN

H1102NLT

H1102NLT

Pulse Electronics Network

XFRMR MAGNETIC 1PORT 1:1 10/100

MC33883HEGR2

MC33883HEGR2

NXP

IC H-BRIDGE PRE-DRIVER 20SOIC

ADM1031ARQZ

ADM1031ARQZ

ON Semiconductor

IC SENSOR 2-TEMP/FAN CTRL 16QSOP

SMAJ5.0A

SMAJ5.0A

TVS DIODE 5V 9.2V SMA

OP27GSZ

OP27GSZ

Analog Devices

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC

DM74LS05N

DM74LS05N

ON Semiconductor

IC INVERTER 6CH 1-INP 14DIP