BTS282ZE3230AKSA2
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| Teilenummer | BTS282ZE3230AKSA2 |
| PNEDA Teilenummer | BTS282ZE3230AKSA2 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 9.420 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BTS282ZE3230AKSA2 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BTS282ZE3230AKSA2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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BTS282ZE3230AKSA2 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | TEMPFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 49V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 80A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 36A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 240µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 232nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 25V |
| FET-Funktion | Temperature Sensing Diode |
| Verlustleistung (max.) | 300W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO220-7-12 |
| Paket / Fall | TO-220-7 |
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Hersteller STMicroelectronics Serie STripFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 5V Vgs (Max) ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4150pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 150W (Tc) Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
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