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BUK3F00-50WGFA,518

BUK3F00-50WGFA,518

Nur als Referenz

Teilenummer BUK3F00-50WGFA,518
PNEDA Teilenummer BUK3F00-50WGFA-518
Beschreibung 9608 AUTO MULTI TECHNOLOGY AND I
Hersteller Nexperia
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BUK3F00-50WGFA Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBUK3F00-50WGFA,518
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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BUK3F00-50WGFA Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
FET-Typ-
Technologie-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Lieferantengerätepaket-
Paket / Fall-

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IPP60R040C7XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ C7

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 24.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1.24mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

107nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4340pF @ 400V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

227W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3-1

Paket / Fall

TO-220-3

IRF6638TR1PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

25A (Ta), 140A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.9mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3770pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DIRECTFET™ MX

Paket / Fall

DirectFET™ Isometric MX

FDB8443

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

25A (Ta), 120A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

185nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9310pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

188W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPP230N06L3 G

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 11µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

36W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

Paket / Fall

TO-220-3

DMN15H310SK3-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

310mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.7nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

405pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

32W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 155°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Kürzlich verkauft

ADM3202ARN

ADM3202ARN

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC

BZT52C3V9-7-F

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Diodes Incorporated

DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD123

74LCX574MTCX

74LCX574MTCX

ON Semiconductor

IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOP

S29JL064J60TFI003

S29JL064J60TFI003

Cypress Semiconductor

IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP

SSM2166SZ

SSM2166SZ

Analog Devices

IC PREAMP AUDIO MONO MIC 14SOIC

BZX84C3V3LT1G

BZX84C3V3LT1G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 3.3V 225MW SOT23-3

TXH 120-112

TXH 120-112

Traco Power

AC/DC CONVERTER 12V 120W

LT8645SEV#PBF

LT8645SEV#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG BUCK ADJUSTABLE 8A 32LQFN

SSM2305RMZ-R2

SSM2305RMZ-R2

Analog Devices

IC AMP AUDIO 2.8W MONO D 8MSOP

NLC453232T-150K-PF

NLC453232T-150K-PF

TDK

FIXED IND 15UH 450MA 700 MOHM

PI3VDP411LSRZBE

PI3VDP411LSRZBE

Diodes Incorporated

IC DEMULTIPLEXER 48TQFN

PE-64934NL

PE-64934NL

Pulse Electronics Network

XFRMR T1/CEPT/ISDN-PRI 1:1