BUK6207-30C,118
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| Teilenummer | BUK6207-30C,118 |
| PNEDA Teilenummer | BUK6207-30C-118 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 90A DPAK |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.730 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BUK6207-30C Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BUK6207-30C,118 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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BUK6207-30C Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | TrenchMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 90A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54.8nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3470pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 128W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DPAK |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Hersteller STMicroelectronics Serie MDmesh™ II FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 25A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 91nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2700pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 40W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220FP Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
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