Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

BUK6507-75C,127

BUK6507-75C,127

Nur als Referenz

Teilenummer BUK6507-75C,127
PNEDA Teilenummer BUK6507-75C-127
Beschreibung MOSFET N-CH 75V 100A TO220AB
Hersteller Nexperia
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.526
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 15 - Jul 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BUK6507-75C Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBUK6507-75C,127
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
BUK6507-75C, BUK6507-75C Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 294,4 KB)
PDFBUK6507-75C Datenblatt Cover
BUK6507-75C Datenblatt Seite 2 BUK6507-75C Datenblatt Seite 3 BUK6507-75C Datenblatt Seite 4 BUK6507-75C Datenblatt Seite 5 BUK6507-75C Datenblatt Seite 6 BUK6507-75C Datenblatt Seite 7 BUK6507-75C Datenblatt Seite 8 BUK6507-75C Datenblatt Seite 9 BUK6507-75C Datenblatt Seite 10 BUK6507-75C Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • BUK6507-75C,127 Datasheet
  • where to find BUK6507-75C,127
  • Nexperia

  • Nexperia BUK6507-75C,127
  • BUK6507-75C,127 PDF Datasheet
  • BUK6507-75C,127 Stock

  • BUK6507-75C,127 Pinout
  • Datasheet BUK6507-75C,127
  • BUK6507-75C,127 Supplier

  • Nexperia Distributor
  • BUK6507-75C,127 Price
  • BUK6507-75C,127 Distributor

BUK6507-75C Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieTrenchMOS™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)75V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.6mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs123nC @ 10V
Vgs (Max)±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds7600pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)204W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220AB
Paket / FallTO-220-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRF1018ESLPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

79A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.4mOhm @ 47A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

69nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2290pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

110W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-262

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

DMN3016LPS-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10.8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25.1nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1415pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.18W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerDI5060-8

Paket / Fall

8-PowerTDFN

SIPC14N80C3X1SA2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

SI4438DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

36A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

126nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4645pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.5W (Ta), 7.8W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

STD8NM50N

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

790mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

364pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

45W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Kürzlich verkauft

STPS30L60CT

STPS30L60CT

STMicroelectronics

DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB

MMSD4148T1G

MMSD4148T1G

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123

T520B227M006ATE070

T520B227M006ATE070

KEMET

CAP TANT POLY 220UF 6.3V 3528

EPM2210F324I5N

EPM2210F324I5N

Intel

IC CPLD 1700MC 7NS 324FBGA

STPS2H100U

STPS2H100U

STMicroelectronics

DIODE SCHOTTKY 100V 2A SMB

SML-LX0603GW-TR

SML-LX0603GW-TR

Lumex Opto/Components Inc.

LED GREEN DIFFUSED SMD

SS-5-1A-AP

SS-5-1A-AP

Eaton - Electronics Division

FUSE BOARD MNT 1A 250VAC RADIAL

EVM-3VSX50B14

EVM-3VSX50B14

Panasonic Electronic Components

TRIMMER 10K OHM 0.15W J LEAD TOP

P170SP1-FC15AR10K

P170SP1-FC15AR10K

TT Electronics/BI

POT 10K OHM 1/20W PLASTIC LOG

ZTB800J

ZTB800J

ECS

CER RES 800.0000KHZ T/H

UC3844BD1013TR

UC3844BD1013TR

STMicroelectronics

IC REG CTRLR BST FLYBK ISO 8SOIC

ECS-327SMO-TR

ECS-327SMO-TR

ECS

XTAL OSC XO 32.7680KHZ CMOS SMD