BUK754R3-40B,127
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| Teilenummer | BUK754R3-40B,127 |
| PNEDA Teilenummer | BUK754R3-40B-127 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.190 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 22 - Mai 27 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BUK754R3-40B Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BUK754R3-40B,127 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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BUK754R3-40B Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | TrenchMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 75A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4824pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 254W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 7.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51nC @ 10V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1610pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® ChipFet Single Paket / Fall PowerPAK® ChipFET™ Single |
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