BUK7575-55A,127
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| Teilenummer | BUK7575-55A,127 |
| PNEDA Teilenummer | BUK7575-55A-127 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 55V 20.3A TO220AB |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.124 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 22 - Mai 27 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BUK7575-55A Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BUK7575-55A,127 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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BUK7575-55A Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | TrenchMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 20.3A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 483pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 62W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/595 FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 18A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 4W (Ta), 125W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-267AB Paket / Fall TO-267AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 135µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3600pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.7W (Ta), 110W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall 8-PowerTDFN |
Hersteller Infineon Technologies Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
Hersteller STMicroelectronics Serie MDmesh™ II FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 17A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 30W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220FP Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ N-Channel Technologie SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 25A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs 175mOhm @ 10A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 20V Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 175W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Lieferantengerätepaket D3 Paket / Fall D-3 Module |
