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BUK9Y4R8-60E,115

BUK9Y4R8-60E,115

Nur als Referenz

Teilenummer BUK9Y4R8-60E,115
PNEDA Teilenummer BUK9Y4R8-60E-115
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
Hersteller Nexperia
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BUK9Y4R8-60E Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBUK9Y4R8-60E,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
BUK9Y4R8-60E, BUK9Y4R8-60E Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 728,22 KB)
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BUK9Y4R8-60E Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.1mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50nC @ 5V
Vgs (Max)±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds7853pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)238W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketLFPAK56, Power-SO8
Paket / FallSC-100, SOT-669

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 5.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 8V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SC-70-6 Single

Paket / Fall

PowerPAK® SC-70-6

IXTY1N80

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

750mA (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

220pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

40W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252AA

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

AOT10N65

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1645pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

250W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220

Paket / Fall

TO-220-3

STP6NK70Z

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

700V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

930pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

110W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

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Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

151pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.3W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Paket / Fall

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