BUK9Y98-80E,115
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| Teilenummer | BUK9Y98-80E,115 |
| PNEDA Teilenummer | BUK9Y98-80E-115 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 80V LFPAK |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.874 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BUK9Y98-80E Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BUK9Y98-80E,115 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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BUK9Y98-80E Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | LFPAK56, Power-SO8 |
| Paket / Fall | SC-100, SOT-669 |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.05mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.95V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3504pF @ 12V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 141W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket LFPAK56, Power-SO8 Paket / Fall SC-100, SOT-669 |
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