BYV430K-300PQ
Nur als Referenz
| Teilenummer | BYV430K-300PQ | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | BYV430K-300PQ | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | DIODE ARRAY GP 300V 30A TO3P | ||||||||||||||||||
| Hersteller | WeEn Semiconductors | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 315 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * | ||||||||||||||||||
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BYV430K-300PQ Ressourcen
| Marke | WeEn Semiconductors |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BYV430K-300PQ |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
| Datenblatt |
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BYV430K-300PQ Technische Daten
| Hersteller | WeEn Semiconductors |
| Serie | - |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 300V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 30A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 30A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 55ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 300V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | 175°C (Max) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-3P |
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