Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

C3M0065090J

C3M0065090J

Nur als Referenz

Teilenummer C3M0065090J
PNEDA Teilenummer C3M0065090J
Beschreibung MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Hersteller Cree/Wolfspeed
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 141.516
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 7 - Jul 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

C3M0065090J Ressourcen

Marke Cree/Wolfspeed
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerC3M0065090J
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • C3M0065090J Datasheet
  • where to find C3M0065090J
  • Cree/Wolfspeed

  • Cree/Wolfspeed C3M0065090J
  • C3M0065090J PDF Datasheet
  • C3M0065090J Stock

  • C3M0065090J Pinout
  • Datasheet C3M0065090J
  • C3M0065090J Supplier

  • Cree/Wolfspeed Distributor
  • C3M0065090J Price
  • C3M0065090J Distributor

C3M0065090J Technische Daten

HerstellerCree/Wolfspeed
SerieC3M™
FET-TypN-Channel
TechnologieSiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)900V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs78mOhm @ 20A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 15V
Vgs (Max)+19V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds660pF @ 600V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)113W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD2PAK-7
Paket / FallTO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

STP8NM60FP

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

30W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

APT47M60J

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

49A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

330nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13190pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

540W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

ISOTOP®

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

IRF3205ZS

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 66A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3450pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

170W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRF3710ZLPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

59A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2900pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

160W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-262

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Hersteller

IXYS

Serie

TrenchMV™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

180A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

151nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6900pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

480W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Kürzlich verkauft

B320A-13-F

B320A-13-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 20V 3A SMA

UVR1E101MED1TA

UVR1E101MED1TA

Nichicon

CAP ALUM 100UF 20% 25V RADIAL

250S130-RADR

250S130-RADR

Littelfuse

PTC RESET FUSE 60V 130MA 2SMD

ASPIAIG-F7030-4R7M-T

ASPIAIG-F7030-4R7M-T

Abracon

FIXED IND 4.7UH 9A 26.7MOHM

USB3320C-EZK-TR

USB3320C-EZK-TR

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 32QFN

LTC3780IG#PBF

LTC3780IG#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG CTRLR BUCK-BOOST 24SSOP

LM7824ACT

LM7824ACT

ON Semiconductor

IC REG LINEAR 24V 1A TO220-3

PCA8574AD,518

PCA8574AD,518

NXP

IC I/O EXPANDER I2C 8B 16SOIC

MC68HC908GR8CFA

MC68HC908GR8CFA

NXP

IC MCU 8BIT 7.5KB FLASH 32LQFP

SMBJ36CA-13-F

SMBJ36CA-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 36V 58.1V SMB

CAT93C57XI

CAT93C57XI

ON Semiconductor

IC EEPROM 2K SPI 1MHZ 8SOIC

SSM2305RMZ-R2

SSM2305RMZ-R2

Analog Devices

IC AMP AUDIO 2.8W MONO D 8MSOP