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CAV25128VE-GT3

CAV25128VE-GT3

Nur als Referenz

Teilenummer CAV25128VE-GT3
PNEDA Teilenummer CAV25128VE-GT3
Beschreibung IC EEPROM 128K SPI 10MHZ 8SOIC
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 4.104
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 3 - Jul 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CAV25128VE-GT3 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCAV25128VE-GT3
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CAV25128VE-GT3, CAV25128VE-GT3 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 266,91 KB)
PDFCAV25128YE-GT3 Datenblatt Cover
CAV25128YE-GT3 Datenblatt Seite 2 CAV25128YE-GT3 Datenblatt Seite 3 CAV25128YE-GT3 Datenblatt Seite 4 CAV25128YE-GT3 Datenblatt Seite 5 CAV25128YE-GT3 Datenblatt Seite 6 CAV25128YE-GT3 Datenblatt Seite 7 CAV25128YE-GT3 Datenblatt Seite 8 CAV25128YE-GT3 Datenblatt Seite 9 CAV25128YE-GT3 Datenblatt Seite 10 CAV25128YE-GT3 Datenblatt Seite 11

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CAV25128VE-GT3 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q100
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße128Kb (16K x 8)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz10MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite5ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

36Mb (2M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

2.8ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-TBGA

Lieferantengerätepaket

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70V9389L9PRF8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

1.125Mb (64K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

9ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR4

Speichergröße

16Gb (1G x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

1.6GHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

19ns

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.26V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

18Mb (256K x 72)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

2.6ns

Spannung - Versorgung

2.375V ~ 2.625V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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71V67703S75BGGI8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

9Mb (256K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

117MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

7.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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