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CMLDM7003T TR

CMLDM7003T TR

Nur als Referenz

Teilenummer CMLDM7003T TR
PNEDA Teilenummer CMLDM7003T-TR
Beschreibung MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
Hersteller Central Semiconductor Corp
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Auf Lager 4.086
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CMLDM7003T TR Ressourcen

Marke Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCMLDM7003T TR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
CMLDM7003T TR, CMLDM7003T TR Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 771,92 KB)
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CMLDM7003T TR Technische Daten

HerstellerCentral Semiconductor Corp
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)50V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.280mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.76nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 25V
Leistung - max350mW
Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-563, SOT-666
LieferantengerätepaketSOT-563

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A, 2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

SI9936BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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Hersteller

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Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16.8nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1108pF @ 25V

Leistung - max

38W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-1205, 8-LFPAK56

Lieferantengerätepaket

LFPAK56D

STS4DPF30L

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

SSM6N39TU,LF

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Hersteller

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Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

119mOhm @ 1A, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 4V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

260pF @ 10V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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