CPC3714C
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| Teilenummer | CPC3714C |
| PNEDA Teilenummer | CPC3714C |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 350V SOT89 |
| Hersteller | IXYS Integrated Circuits Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.608 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CPC3714C Ressourcen
| Marke | IXYS Integrated Circuits Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CPC3714C |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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CPC3714C Technische Daten
| Hersteller | IXYS Integrated Circuits Division |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 350V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14Ohm @ 240mA, 0V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 100pF @ 25V |
| FET-Funktion | Depletion Mode |
| Verlustleistung (max.) | 1.4W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-89 |
| Paket / Fall | TO-243AA |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 1.14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SO Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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