CPC3960ZTR
Nur als Referenz
| Teilenummer | CPC3960ZTR |
| PNEDA Teilenummer | CPC3960ZTR |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V SOT-223 |
| Hersteller | IXYS Integrated Circuits Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 22.044 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CPC3960ZTR Ressourcen
| Marke | IXYS Integrated Circuits Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CPC3960ZTR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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CPC3960ZTR Technische Daten
| Hersteller | IXYS Integrated Circuits Division |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44Ohm @ 100mA, 0V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 100pF @ 25V |
| FET-Funktion | Depletion Mode |
| Verlustleistung (max.) | 1.8W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-223 |
| Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 155pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3W (Ta) Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-223-4 Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET®, StrongIRFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 135V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 160A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.9mOhm @ 96A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 315nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11690pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 500W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK-7 Paket / Fall TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Variant |
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