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CSD13381F4

CSD13381F4

Nur als Referenz

Teilenummer CSD13381F4
PNEDA Teilenummer CSD13381F4
Beschreibung MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
Hersteller Texas Instruments
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CSD13381F4 Ressourcen

Marke Texas Instruments
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCSD13381F4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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CSD13381F4 Technische Daten

Hersteller
SerieNexFET™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs180mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.4nC @ 4.5V
Vgs (Max)8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds200pF @ 6V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)500mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket3-PICOSTAR
Paket / Fall3-XFDFN

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

GigaMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

170V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

260A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

640nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

45000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1070W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

IPI90R500C3XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 740µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

156W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO262-3

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

FDN338P

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.6A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

115mOhm @ 1.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.2nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

451pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

500mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SuperSOT-3

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

GP1M008A025PG

Global Power Technologies Group

Hersteller

Global Power Technologies Group

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.4nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

423pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

52W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I-PAK

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

FQD3N30TF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

300V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2Ohm @ 1.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

230pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 30W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Kürzlich verkauft

WSL2010R0100FEA18

WSL2010R0100FEA18

Vishay Dale

RES 0.01 OHM 1% 1W 2010

W25Q64FVSSIG

W25Q64FVSSIG

Winbond Electronics

IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC

74HC14DR2G

74HC14DR2G

ON Semiconductor

IC INVERTER SCHMITT 6CH 14SOIC

MCP42050-E/SL

MCP42050-E/SL

Microchip Technology

IC DGTL POT 50KOHM 256TAP 14SOIC

CY7C65632-28LTXC

CY7C65632-28LTXC

Cypress Semiconductor

IC USB HUB CTRLR 4PORT LP 28QFN

BK/MDA-4-R

BK/MDA-4-R

Eaton - Electronics Division

FUSE CERAMIC 4A 250VAC 3AB 3AG

S29JL064J60TFI003

S29JL064J60TFI003

Cypress Semiconductor

IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP

LC4256V-75T176C

LC4256V-75T176C

Lattice Semiconductor Corporation

IC CPLD 256MC 7.5NS 176TQFP

2N7002LT1G

2N7002LT1G

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23

74HCT14D

74HCT14D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC INVERTER SCHMITT 6CH 14SOIC

IRFU9024NPBF

IRFU9024NPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK

MCIMX6G1CVM05AA

MCIMX6G1CVM05AA

NXP

IC MPU I.MC6UL 528MHZ 289BGA