CSD17382F4T
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| Teilenummer | CSD17382F4T |
| PNEDA Teilenummer | CSD17382F4T |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 2.3A PICOSTAR |
| Hersteller | Texas Instruments |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 112.944 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CSD17382F4T Ressourcen
| Marke | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CSD17382F4T |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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CSD17382F4T Technische Daten
| Hersteller | |
| Serie | FemtoFET™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.3A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 8V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64mOhm @ 500mA, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 347pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 500mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 3-PICOSTAR |
| Paket / Fall | 3-XFDFN |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 8™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 57A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 43A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 570nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 17550pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 960W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Lieferantengerätepaket ISOTOP® Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC |
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