CSD19538Q2T
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| Teilenummer | CSD19538Q2T |
| PNEDA Teilenummer | CSD19538Q2T |
| Beschreibung | MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON |
| Hersteller | Texas Instruments |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 23.892 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CSD19538Q2T Ressourcen
| Marke | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CSD19538Q2T |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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CSD19538Q2T Technische Daten
| Hersteller | |
| Serie | NexFET™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 13.1A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 454pF @ 50V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-WSON (2x2) |
| Paket / Fall | 6-WDFN Exposed Pad |
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