CSD75208W1015
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| Teilenummer | CSD75208W1015 |
| PNEDA Teilenummer | CSD75208W1015 |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP |
| Hersteller | Texas Instruments |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 1.381 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CSD75208W1015 Ressourcen
| Marke | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CSD75208W1015 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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CSD75208W1015 Technische Daten
| Hersteller | |
| Serie | NexFET™ |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) Common Source |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 68mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 410pF @ 10V |
| Leistung - max | 750mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-UFBGA, DSBGA |
| Lieferantengerätepaket | 6-DSBGA |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.63A Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.6nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 10V Leistung - max 1.16W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
